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Qualcomm Snapdragon 835 presentazione ufficiale: news e specifiche tecniche

Qualcomm Snapdragon 835 presentazione ufficiale: news e specifiche tecniche
Qualcomm Snapdragon 835 presentazione ufficiale: news e specifiche tecniche
Roberta Betti

E’ finalmente tra noi Snapdragon 835, l’attesissimo successore di Snapdragon 821, a sua volta piccola ma significativa evoluzione di quell’ormai diffuso Snapdragon 820 attorno al quale sono stati costruiti molti top di gamma Android di quest’anno. In seguito ad una presentazione ufficiale (Technology Summit di New York), il nuovo nato di casa Qualcomm è stato rivelato al pubblico con alcune news inedite in merito.

Snapdragon 835 è un chipset di fascia alta, che a partire dal 2017 diventerà protagonista del mondo degli smartphone e dei tablet al posto di 820 e 821, sebbene a loro volta siano processori di ottime capacità. Il brand californiano ha confermato solo parte delle specifiche tecniche, ma ha rivelato il processo produttivo FinFET 10 nanometri ideato da Samsung come fattore fondamentale dello sviluppo del chipset.

Si tratta di un interessante passo in avanti rispetto a Snapdragon 820 e 821, prodotti nelle industrie capitanate da Samsung, ma con procedimento a 14 nanometri. Questo consente di aumentare le prestazioni generali, ma senza rinunciare ad un power saving di livello superiore, fattore essenziale in un comparto hardware così potente.

Qualcomm Snapdragon 835: Samsung Galaxy S8 il primo candidato ufficiale?

Le procedure tecniche utilizzate sono state confermate da Samsung stessa tramite un comunicato ufficiale di Ottobre scorso, poco prima dell’avvio della produzione del processore. I 10 nanometri FinFET proposti dal brand coreano hanno anticipato altri big del mondo del chipmaking, tra cui TSMC e Intel, ancora al lavoro su soluzioni di portata simile.

Il tipo di litografia utilizzata per Snapdragon 835 permette, secondo i produttori, di ottenere un abbattimento cospicuo dei consumi (circa il 40% rispetto alle versioni precedenti) aumentando le prestazioni su smartphone del 27%. Qualcomm non ha inoltre esitato ad includere la tecnologia Quick Charge 4 a bordo del chip, compatibile ora con USB Type-C e la ricarica effettuata tramite USB Power Delivery.

Già da ora si vocifera che per via della vicinanza con Samsung, il primo smartphone con a bordo 835 potrebbe essere proprio Galaxy S8, che consentirebbe il debutto del processore entro il primo quadrimestre del 2017, in linea con le aspettative di Qualcomm.

Migliorando alcuni parametri essenziali, quali i tempi di ricarica abbattuti, misurazione della temperatura della batteria e del flusso di corrente, Qualcomm inizia a porre le basi per quella che potrebbe essere la rivincita di Samsung dopo l’incidente di Galaxy Note 7: ora non ci resta che scoprire le altre specifiche che lo renderanno un protagonista indiscusso del mondo mobile nel 2017.

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Roberta Betti
@SerikaSerizawa8

Appassionata di hi-tech ed entertainment digitale, e più generalmente di tutto ciò che ruota attorno il sistema di numerazione binario: sistemi open source, OS, privacy, app, videogames, device e quanto il prolifico mondo della tecnologia ci propone ogni giorno

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